无线充电经过去年的爆发式增长之后，今年开始趋于平缓发展，在目前的qi协议无线充电方案中主要有这么几种构架：MCU+驱动电路+功率电路、MCU+微型IPM构架电路、SoC芯片电路。这些方案各有优势和劣势，今天来简单介绍一下MCU+IPM构架的无线充电方案。

  这种无线充电方案比MCU+驱动的方案外围电路要简洁，效率也会更高，与SoC方案的外围电路接近，但它比那两种的成本要低许多。其中微型IPM集成了驱动电路+功率MOS管，可有效改善无线充电普遍存在的发热高、效率低、外围电路复杂等问题。

ZK6865是 ⼀ 款 内 置 ⾼ 边 和 低 边 N 沟 道 MOSFET 的驱动芯⽚，可⽤于同步降压、升降压和 半桥拓扑中。ZK6865 内部集成⽋压锁死电路可以确保 MOSFET 在较低的电源电压下处于关断状态，⽤以 提⾼转换效率。集成使能关断功能，可以同时关断 ⾼边和低边 N 沟道 MOSFET。ZK6865内建死区⾃适应功能，可以适应更多应 ⽤条件，同时简化设计的繁琐。

电源电压⼯作范围为 4V~15V

  内置⾃举⼆极管 

 固定死区时间

  内置 30V N 沟道 MOSFET

  兼容 3.3V/5V/15V 输⼊信号

  内建死区⾃适应功能防⽌ MOSFET 交叉导通 

 VCC ⽋压锁死功能

 绿⾊环保⽆⻧，满⾜ ROHS 标准